碳化硅廠 碳化硅將在2022-2026年迎來爆發(fā)期，國(guó)產(chǎn)

第三代半導(dǎo)體前瞻，碳化硅將在2022-2026年迎來爆發(fā)期碳化硅廠碳化硅廠，國(guó)產(chǎn)化將是中長(zhǎng)期趨勢(shì)！

中信建投認(rèn)為，碳化硅作為性能更加突出的第三代半導(dǎo)體，供給和需求都迎來快速增長(zhǎng)，在國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)下，將是中長(zhǎng)期投資機(jī)會(huì)。

1）碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出，市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L(zhǎng)

碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。

隨著下游需求爆發(fā)，2022-2026年SiC器件的市場(chǎng)規(guī)模將從43億美元提升到89億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為20%，對(duì)應(yīng)的SiC襯底市場(chǎng)規(guī)模講從7億美元增長(zhǎng)到17億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為25%。

2）需求：下游產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)用爆發(fā)，SiC市場(chǎng)需求紅利釋放

把SiC器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段：2019-2021年為初期，2022-2023年為拐點(diǎn)期，2024-2026年為爆發(fā)期。

SiC隨著在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用領(lǐng)域展開，需求迎來爆發(fā)增長(zhǎng)，其中，能源汽車是SiC器件應(yīng)用增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2022-2026年的市場(chǎng)規(guī)模從16億美元到46億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為30%。

3）供給：短期產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芟抟r底產(chǎn)能，長(zhǎng)期產(chǎn)能擴(kuò)張帶來價(jià)格下降

碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長(zhǎng)過程繁瑣，晶圓切割困難等特點(diǎn)，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。

目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供應(yīng)商，CR3市場(chǎng)占有率達(dá)到80%以上，國(guó)內(nèi)廠商為代表的襯底廠商的產(chǎn)品良率、品質(zhì)和生產(chǎn)效率還有一定差距。

短期看中高功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上游主要還受襯底CR3控制，另外隨著CR3逐步提高材料自用比例提升，產(chǎn)能的提升的同時(shí)市場(chǎng)供給有限，整體供給偏緊狀態(tài)。

根據(jù)WolfSpeed數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2022年和2024年的產(chǎn)能分別達(dá)到167K平方英尺到242平方英尺，折算6寸對(duì)應(yīng)的85萬片和123萬片，通過測(cè)算預(yù)計(jì)全球2022年和2024年市場(chǎng)銷量折合6英寸分別約為170萬片至250萬片。

4）碳化硅國(guó)產(chǎn)突破正加速，迎來中長(zhǎng)期投資機(jī)會(huì)

碳化硅市場(chǎng)海外以IDM為主要運(yùn)作模式，國(guó)內(nèi)襯底廠商為天岳先進(jìn)（絕緣型襯底為主）、天科合達(dá)（導(dǎo)電型襯底為主）、中電科（爍科）、露笑科技、晶盛機(jī)電：

外延片方面：瀚天天成、東莞天域、中電科等均已完成了3-6英寸碳化硅外延的研發(fā)和生產(chǎn)。

器件方面：斯達(dá)半導(dǎo)體、士蘭微推出SiCMOSFET功率器件和模塊。

晶圓代工方面：X-Fab為最大代工廠，并為80-90%的無晶圓廠碳化硅廠商提供服務(wù)；漢磊和積塔大幅增加資本開支用以擴(kuò)展SiC產(chǎn)能。

IDM方面：三安光電具備全產(chǎn)業(yè)整合生產(chǎn)能力（襯底外延/器件封測(cè)）

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