碳化硅廠 意法半導(dǎo)體制造首批200mm碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）近日宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm 8英寸碳化硅（SiC）晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。SiC晶圓升級到200mm標志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃取得重要的階段性成功，鞏固了ST在這一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的總擁有成本。

意法半導(dǎo)體的首批200mm SiC晶圓片質(zhì)量上乘碳化硅廠，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導(dǎo)體碳化硅公司（前身是Norstel公司，2019年被ST收購）在SiC硅錠生長技術(shù)開發(fā)方面的深厚積累和沉淀。除了晶圓片滿足嚴格的質(zhì)量標準外碳化硅廠，SiC晶圓升級到200mm還需要對制造設(shè)備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換。意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。

意法半導(dǎo)體先進的量產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國）和布斯庫拉（摩洛哥）的兩家封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導(dǎo)體布局更先進的、高成本效益的200mm SiC量產(chǎn)計劃的組成部分。SiC晶圓升級到200mm屬于公司正在執(zhí)行的SiC襯底建新廠和內(nèi)部采購SiC襯底占比超40%的生產(chǎn)計劃。

（摘編自 意法半導(dǎo)體中國）

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